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RQ3E180GNTB Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-HSMT (3.2x3)
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.4nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RQ3E100ATTB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3223
RQ3E100BN QQ2850920316 CIs Calientes Especializados 165095
RQ3E100BNFU7 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 5999
RQ3E100BNFU7TB ROHM CIs Calientes Especializados 10198
RQ3E100BNTB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9377
RQ3E100BNTB1 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 5999
RQ3E100BSFU7TB ROHM CIs Calientes Especializados 60398
RQ3E100GN QQ2850920316 CIs Calientes Especializados 165085
RQ3E100GNFU7TB ROHM CIs Calientes Especializados 9000
RQ3E100GNTB LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23614

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