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RQ3E180AJTB
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RQ3E180AJTB Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 11mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±12V |
Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Las siguientes partes incluyen 'RQ3E1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RQ3E100ATTB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3223 |
RQ3E100BN | QQ2850920316 | CIs Calientes Especializados | 165095 |
RQ3E100BNFU7 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 5999 |
RQ3E100BNFU7TB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 10198 |
RQ3E100BNTB | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9377 |
RQ3E100BNTB1 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 5999 |
RQ3E100BSFU7TB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 60398 |
RQ3E100GN | QQ2850920316 | CIs Calientes Especializados | 165085 |
RQ3E100GNFU7TB | ROHM | CIs Calientes Especializados | 9000 |
RQ3E100GNTB | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23614 |
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