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RQ1E070RPTR Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TSMT8
Power Dissipation (Max) 550mW (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "RQ1E0"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RQ1E050RP LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
RQ1E050RP TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3000
RQ1E050RPTR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3000
RQ1E050RPTR ROHM Semiconductor Transistores MOSFET individuales
RQ1E070RP LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2387
RQ1E070RP TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1719
RQ1E070RPTR IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3387
RQ1E075VN ROHM CIs Calientes Especializados 5176
RQ1E075VN TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3116
RQ1E075XN ROHM CIs Calientes Especializados 8494

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