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RJU002N06T106 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package UMT3
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RJU002N05 T106 ROHM CIs Calientes Especializados 66000
RJU002N06 ROHM CIs Calientes Especializados 148494
RJU002N06 T106 ROHM CIs Calientes Especializados 75000
RJU002N06FRA LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3742
RJU002N06FRAT106 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 60363
RJU002N06T106 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 42449
RJU003N03 ROHM CIs Calientes Especializados 25697
RJU003N03 T106 ROHM CIs Calientes Especializados 12634
RJU003N03FRA LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3000
RJU003N03FRA T106 ROHM CIs Calientes Especializados 6418

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