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RGW60TK65DGVC11 Especificaciones técnicas

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 480µJ (on), 490µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 92ns
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 15 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 84nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 37ns/114ns
Supplier Device Package TO-3PFM
Power - Max 72W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 650V 33A 72W Through Hole TO-3PFM
Current - Collector (Ic) (Max) 33A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGW60TK65DGVC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGW60TK65GVC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 0
RGW60TK65GVC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGW60TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2665
RGW60TS65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGW60TS65GC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2622
RGW60TS65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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