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RGTV60TS65GC11 Especificaciones técnicas

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 570µJ (on), 500µJ (off)
Power - Max 194W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 650V 60A 194W Through Hole TO-247N
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 33ns/105ns
Supplier Device Package TO-247N
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 15 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 64nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGTV60TK65DGVC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2568
RGTV60TK65DGVC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTV60TK65GVC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2526
RGTV60TK65GVC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTV60TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2699
RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTV60TS65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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RGTV60TS65GC11 fabricantes de marca: LAPIS Semiconductor, Bonchip existencias, RGTV60TS65GC11 precio de referencia. RGTV60TS65GC11 parámetros, RGTV60TS65GC11 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el RGTV60TS65GC11 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar RGTV60TS65GC11 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, RGTV60TS65GC11 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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