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RGT30NS65DGTL Especificaciones técnicas

IGBT 650V 30A 133W TO-263S

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 55ns
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 32nC
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Td (on/off) @ 25°C 18ns/64ns
Supplier Device Package LPDS (TO-263S)
Power - Max 133W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGT30NL65DGTL ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGT30NS65DGTL ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGT30TM65D LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 18158
RGT30TM65DGC9 ROHM Semiconductor IGBTs individuales

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