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RFN1L7STE25
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RFN1L7STE25 Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800mA |
Supplier Device Package | PMDS |
Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
Package / Case | DO-214AC, SMA |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 700V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 700V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 800mA |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RFN1L7STE25
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RFN1L" partes
Las siguientes partes incluyen 'RFN1L'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RFN1L6S | ROHM | CIs Calientes Especializados | 12406 |
RFN1L6S TE25 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 12890 |
RFN1L6SDD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 215000 |
RFN1L6SFJ | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3232 |
RFN1L6STE25 | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 839 |
RFN1L7S | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 218132 |
RFN1L7S TE25 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 12823 |
RFN1L7SDD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 215000 |
RFN1L7SFJ TE25 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2988 |
RFN1LAM6S | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 65000 |
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