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RF501BM2STL Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 920mV @ 5A
Supplier Device Package TO-252
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RF501 ENTROPIC CIs Calientes Especializados 251
RF501B2S ROHM CIs Calientes Especializados 3575
RF501B2S TL ROHM CIs Calientes Especializados 21775
RF501B2STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 7615
RF501B2STL ROHM Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico
RF501B6STL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2697
RF501BM LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1937
RF501BM2S FH TL ROHM CIs Calientes Especializados 3000
RF501BM2SFHTL LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 10361
RF501BM2SFHTL ROHM Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico

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