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RF081MM2STR Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 950mV @ 800mA
Supplier Device Package PMDU
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Package / Case SOD-123F
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 800mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RF081L2S ROHM CIs Calientes Especializados 31872
RF081L2S TE25 ROHM CIs Calientes Especializados 16400
RF081L2SFJ TE25 ROHM CIs Calientes Especializados 2773
RF081L2SFJTE25 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2513
RF081L2STE25 LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 55714
RF081L2STF LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 15000
RF081LAM2S LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 80000
RF081LAM2STF LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 65000
RF081LAM2STFTR ROHM Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico
RF081LAM2STR LAPIS Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2661

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