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RDN150N20FU6 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220FN
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 7.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1224pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RDN150N20 R CIs Calientes Especializados 677
RDN150N20L02 ROHM CIs Calientes Especializados 10386

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