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RDN080N25FU6 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220FN
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RDN080N25 ROHM CIs Calientes Especializados 15666
RDN080N25FU6 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 20469

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