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RD3S075CNTL1
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RD3S075CNTL1 Especificaciones técnicas
NCH 190V 7.5A POWER MOSFET
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 336 mOhm @ 3.8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | RD3S075CNTL1TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 10 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 190V 7.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-252 |
Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 190V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
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