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RBR1LAM30ATR
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RBR1LAM30ATR Especificaciones técnicas
DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDTM
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 480mV @ 1A |
Supplier Device Package | PMDTM |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount PMDTM |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | SOD-128 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 20 Weeks |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 30V |
Capacitance @ Vr, F | - |
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Otros incluyen "RBR1L" partes
Las siguientes partes incluyen 'RBR1L'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RBR1L30A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR1L30ADD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR1L30ATE25 | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2786 |
RBR1L40A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR1L40ADD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1768 |
RBR1L40ADD IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1952 |
RBR1L40ATE25 | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2663 |
RBR1L60A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR1L60ADD | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 15000 |
RBR1L60ATE25 | LAPIS Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2734 |
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