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R6076ENZ1C9 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 76A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 44.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
R6076ENZ4C13 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 103781
R6076MNZ1C9 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20

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