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R6035ENZC8 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 18.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2720pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-3PF
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
R6035ENZ1C9 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 575
R6035KNZ1C9 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9298
R6035KNZC8 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2594

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