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R6025FNZ1C9
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R6025FNZ1C9 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 12.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-247 |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "R6025" partes
Las siguientes partes incluyen 'R6025'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
R6025ANZ | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1037 |
R6025ANZC8 | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2750 |
R6025ANZC8 | ROHM Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
R6025FNZC8 | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2506 |
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