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R6020KNX Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196 mOhm @ 9.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220FM
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
R60200-1CR Bussmann (Eaton) Portafusibles 2751
R60200-1CR Eaton - Bussmann Electrical Division Portafusibles
R60200-1CRQ Bussmann (Eaton) Portafusibles 2733
R60200-1CRQ Eaton - Bussmann Electrical Division Portafusibles
R60200-1STR Bussmann (Eaton) Portafusibles 2682
R60200-1STR Eaton - Bussmann Electrical Division Portafusibles
R60200-1STRM Bussmann (Eaton) Portafusibles 2615
R60200-1STRM Eaton - Bussmann Electrical Division Portafusibles
R60200-3CR Bussmann (Eaton) Portafusibles 2592
R60200-3CR Eaton - Bussmann Electrical Division Portafusibles

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