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R6018ANJTL
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R6018ANJTL Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | LPTS |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
Package / Case | SC-83 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'R6018'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
R6018JNJGTL | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 333 |
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