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R6007KNJTL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 2.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "R6007"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
R6007 Brady Corporation Accesorios para PC
R6007ENJ LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
R6007ENJTL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2548
R6007ENX LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2513
R6007ENX MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 847
R6007KND3TL1 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 40387
R6007KNX LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2686

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