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R5009ANX Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 9A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 720 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220FM
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Otros incluyen   "R5009"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
R5009ANJ FU7TL ROHOM CIs Calientes Especializados 2545
R5009ANJTL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
R5009ANX FDPF10N50FT VB CIs Calientes Especializados 33000
R5009FNJTL LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2526
R5009FNX LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5020
R5009FNX FDPF10N50FT VB CIs Calientes Especializados 32978

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