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QS8M51TR
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QS8M51TR Especificaciones técnicas
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 325 mOhm @ 2A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 25V |
FET Type | N and P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | TSMT8 |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A, 1.5A |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
QS8M51TR | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs |
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