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QS8K13TCR Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TSMT8
Power - Max 550mW
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
QS8K11 ROHM CIs Calientes Especializados 1475
QS8K11TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3451
QS8K11TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
QS8K11TCR MOSFETIGBTIC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3237
QS8K13 TCR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 5800
QS8K13TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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