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QS8J12TCR
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QS8J12TCR Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 6V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | TSMT8 |
Power - Max | 550mW |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
QS8J12TCR Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para QS8J12TCR
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Hojas de datos
QS8J12TCR.pdf
Otros incluyen "QS8J1" partes
Las siguientes partes incluyen 'QS8J1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
QS8J1 TR | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3041 |
QS8J11TCR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2760 |
QS8J11TCR | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
QS8J12 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3384 |
QS8J12FU7TCR | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3000 |
QS8J12TCR | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
QS8J13 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2304 |
QS8J13TR | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 896 |
QS8J13TR | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
QS8J13TR IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 9330 |
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