QS8J12TCR Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 6V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TSMT8
Power - Max 550mW
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
QS8J1 TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3041
QS8J11TCR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2760
QS8J11TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
QS8J12 ROHM CIs Calientes Especializados 3384
QS8J12FU7TCR ROHM CIs Calientes Especializados 3000
QS8J12TCR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
QS8J13 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2304
QS8J13TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 896
QS8J13TR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
QS8J13TR IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 9330

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