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QS6M3TR Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Power - Max 1.25W
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
QS6M3 ROHM CIs Calientes Especializados 5452
QS6M3 TR ROHM CIs Calientes Especializados 428
QS6M3G2TR LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 6486
QS6M3TR ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
QS6M3TR IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 81361
QS6M3TR MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 27277

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