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QS5W1TR
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QS5W1TR Especificaciones técnicas
TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) Common Emitter |
Power - Max | 1.25W |
Package / Case | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
Supplier Device Package | TSMT5 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 270MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
QS5W1TR | ROHM Semiconductor | Matrices BJT Transistores |
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