QS5U23TR Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package TSMT5
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
QS5U21 ROHM CIs Calientes Especializados 30726
QS5U21 TR ROHM CIs Calientes Especializados 3070
QS5U21TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3443
QS5U23 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 555
QS5U26 ROHM CIs Calientes Especializados 2719
QS5U26TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2629
QS5U27 ROHM CIs Calientes Especializados 1384
QS5U27 TR ROHM CIs Calientes Especializados 3840
QS5U27TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2466
QS5U27TR MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3379

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