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QS5U16TR Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package TSMT5
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "QS5U1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'QS5U1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
QS5U12 ROHM CIs Calientes Especializados 799
QS5U12 TR ROHM CIs Calientes Especializados 2798
QS5U12TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3401
QS5U13 TR ROHM CIs Calientes Especializados 696
QS5U13TR LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2776
QS5U16 ROHM CIs Calientes Especializados 15000
QS5U16 TR ROHM CIs Calientes Especializados 24000
QS5U17 Shinden CIs Calientes Especializados 1434
QS5U17 TR ROHM CIs Calientes Especializados 42300
QS5U17-TR ROHM CIs Calientes Especializados 1448

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