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IMT1AT110
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IMT1AT110 Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | SMT6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 140MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
IMT1AT110 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IMT1AT110
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IMT1A" partes
Las siguientes partes incluyen 'IMT1A'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IMT1A | ROHM | CIs Calientes Especializados | 4855 |
IMT1A T108 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2786 |
IMT1A T110 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2483 |
IMT1AT108 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 21681 |
IMT1AT108 | ROHM Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
IMT1AT110 | ROHM Semiconductor | Matrices BJT Transistores |
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