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IMT18T110
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IMT18T110 Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Supplier Device Package | SMT6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 260MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IMT18" partes
Las siguientes partes incluyen 'IMT18'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IMT18 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3000 |
IMT18 T110 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3000 |
IMT18T110 | ROHM Semiconductor | Matrices BJT Transistores |
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