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IMB11AT110
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IMB11AT110 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IMB11" partes
Las siguientes partes incluyen 'IMB11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IMB11 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3349 |
IMB11A | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2117 |
IMB11AT110 | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores BJT |
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