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EMZ8T2R
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EMZ8T2R Especificaciones técnicas
TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Transistor Type | NPN, PNP |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA, 500mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Supplier Device Package | EMT6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 180MHz, 260MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EMZ8T2R | ROHM Semiconductor | Matrices BJT Transistores |
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