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EMH1FHAT2R Especificaciones técnicas

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) -
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names EMH1FHAT2RTR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Current - Collector Cutoff (Max) -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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EMH1FHAT2R ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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