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EMF21T2R Especificaciones técnicas

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 12V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz, 260MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 500mA
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Otros incluyen   "EMF21"   partes

Las siguientes partes incluyen  'EMF21' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EMF21 ROHM CIs Calientes Especializados 10732
EMF21-7 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 37166
EMF21P02V EMC CIs Calientes Especializados 2344
EMF21P02V MOS EMC CIs Calientes Especializados 2296
EMF21T2R ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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