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EMF17T2R
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EMF17T2R Especificaciones técnicas
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 2.2k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz, 140MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | EMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 150mA |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EMF17T2R | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores BJT |
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