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EMD3T2R
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EMD3T2R Especificaciones técnicas
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | EMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
EMD3T2R Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "EMD3T" partes
Las siguientes partes incluyen 'EMD3T'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EMD3T2R | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores BJT |
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