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EMB51T2R Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
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Otros incluyen   "EMB51"   partes

Las siguientes partes incluyen  'EMB51' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EMB51 G T2R LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 8000
EMB51 T2R ROHM CIs Calientes Especializados 16376
EMB5102GE EMC CIs Calientes Especializados 21841
EMB51GT2R ROHM CIs Calientes Especializados 8475
EMB51T2R ROHM Semiconductor Matrices de transistores BJT

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