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DTD543XETL
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DTD543XETL Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Frequency - Transition | 260MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Supplier Device Package | EMT3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "DTD54" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTD54'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTD543EETL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2797 |
DTD543EETL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD543EMT2L | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2622 |
DTD543EMT2L | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD543XE | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3000 |
DTD543XETL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD543XMT2L | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2792 |
DTD543XMT2L | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD543ZE TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 5734 |
DTD543ZETL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2524 |
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