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DTD123TSTP Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 300mW
Package / Case SC-72 Formed Leads
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SPT
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Otros incluyen   "DTD12"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DTD12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTD122JK ROHM CIs Calientes Especializados 2960
DTD122JKT146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2715
DTD122JKT146 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTD122JKT146 , M11X ROHM/WJ CIs Calientes Especializados 50
DTD123EC T116 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3000
DTD123ECT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3443
DTD123ECT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTD123EK ROHM CIs Calientes Especializados 17598
DTD123EK T146 ROHM CIs Calientes Especializados 31618
DTD123EKA ROHM CIs Calientes Especializados 24024

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