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DTD113ZUT106
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DTD113ZUT106 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | UMT3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "DTD11" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTD11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTD113ECHZGT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2561 |
DTD113ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD113ECT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2500 |
DTD113ECT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD113EK | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1133 |
DTD113EK T146 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 39000 |
DTD113EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD113EKT146 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 12204 |
DTD113EKT146 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD113ES | ROHM | CIs Calientes Especializados | 7200 |
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