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DTC314TUT106 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package UMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC314K ROHM CIs Calientes Especializados 6500
DTC314TK ROHM CIs Calientes Especializados 106976
DTC314TK T146 ROHM CIs Calientes Especializados 13593
DTC314TK T146 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 2898
DTC314TKFST146 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 901
DTC314TKT146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3201
DTC314TKT146 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC314TS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 3000
DTC314TU ROHM CIs Calientes Especializados 197139
DTC314TU T106 ROHM CIs Calientes Especializados 10303

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