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DTC124XKAT146 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC123-JS ROHM CIs Calientes Especializados 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123EE ROHM CIs Calientes Especializados 3294
DTC123EE TL ROHM CIs Calientes Especializados 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 30000

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