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DTC115GKAT146 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2783
DTC113EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2685
DTC113EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC113ZCA Original CIs Calientes Especializados 110632
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2598
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Co Transistores BJT Pre-Biasados
DTC113ZCAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2646
DTC113ZCAHZGT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC113ZCAT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 110600

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