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DTC114WSATP Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-72 Formed Leads
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SPT
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 24 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Las siguientes partes incluyen  'DTC11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2783
DTC113EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2685
DTC113EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC113ZCA Original CIs Calientes Especializados 110632
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2598
DTC113ZCA-TP Micro Commercial Co Transistores BJT Pre-Biasados
DTC113ZCAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2646
DTC113ZCAHZGT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC113ZCAT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 110600

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