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DTC114TCAT116
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DTC114TCAT116 Especificaciones técnicas
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Series | * |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SST3 |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTC113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2783 |
DTC113EET1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2685 |
DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC113ZCA | Original | CIs Calientes Especializados | 110632 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2598 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC113ZCAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2646 |
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC113ZCAT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 110600 |
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