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DTC014YMT2L Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package VMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 70mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC013ZEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 600
DTC013ZEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC013ZMT2L LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2717
DTC013ZMT2L ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC013ZMT2L IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 40239
DTC013ZUBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2725
DTC013ZUBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC014EEB ROHM CIs Calientes Especializados 3288
DTC014EEB TL ROHM CIs Calientes Especializados 1532385
DTC014EEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 30597

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