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DTB143ECHZGT116 Especificaciones técnicas

-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SST3
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type PNP - Pre-Biased + Diode
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names DTB143ECHZGT116TR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Current - Collector Cutoff (Max) -
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DTB143ECHZGT116 Documentos

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Otros incluyen   "DTB14"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DTB14' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTB143EC ROHM CIs Calientes Especializados 998
DTB143ECHZGT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTB143ECT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2570
DTB143ECT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTB143ECT216 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 16241
DTB143ECT216 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTB143EK ROHM CIs Calientes Especializados 81089
DTB143EK T146 ROHM CIs Calientes Especializados 8378
DTB143EKA ROHM CIs Calientes Especializados 4600
DTB143EKT146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 57302

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