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DTB114EKT146 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Las siguientes partes incluyen  'DTB11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTB113 ROHM CIs Calientes Especializados 1296
DTB113ECHZGT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTB113ECT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2527
DTB113ECT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTB113EK ROHM CIs Calientes Especializados 187858
DTB113EK T146 ROHM CIs Calientes Especializados 1791
DTB113EK T146 MCU LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1868
DTB113EKT146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 11466
DTB113EKT146 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTB113EL Original CIs Calientes Especializados 2929

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