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DTB113ZKT146
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DTB113ZKT146 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | SMT3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
DTB113ZKT146 Documentos
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Hojas de datos
DTB113ZKT146.pdf
Otros incluyen "DTB11" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTB11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTB113 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1296 |
DTB113ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTB113ECT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2527 |
DTB113ECT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTB113EK | ROHM | CIs Calientes Especializados | 187858 |
DTB113EK T146 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1791 |
DTB113EK T146 MCU | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1868 |
DTB113EKT146 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 11466 |
DTB113EKT146 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTB113EL | Original | CIs Calientes Especializados | 2929 |
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