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DTA115EUAT106
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DTA115EUAT106 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 100k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | UMT3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 100k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'DTA11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTA1132KA | ROHM | CIs Calientes Especializados | 24000 |
DTA1135EKAT146 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3400 |
DTA113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 12000 |
DTA113EET1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2749 |
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA113TKA T146 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 11747 |
DTA113TKA T146 IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 11783 |
DTA113TKAT146 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2608 |
DTA113TKAT146 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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Placas de Evaluac...
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